رسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر
نویسندگان
چکیده مقاله:
در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش افزایش یافته و ضریب عبور برای همه انرژی ها به جز در لبه های نوار انرژی کاهش می یابد. همچنین با کاهش دما ارتعاشات اتمی کمتر و پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با این اتم ها نیز کمتر می شود و بنابراین رسانش الکترونی افزایش می یابد.
منابع مشابه
بررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه‌ای
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره‌ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می‌شود، بررسی می‌شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک‌ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی‌های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی‌های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن‌ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...
متن کاملبررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه ای
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می شود، بررسی می شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...
متن کاملالاستیسیته جامدات خطی یک اتمی
دینامیک شبکه ای مواد به عنوان رشته مطالعه خواص مواد و کاربرد آن در مورد کریستال گازهای خنثی با استفاده از مدل جامد خطی یک اتمی نشان داده شده است . ضرایب الاستیسیته کریستال گازهای حنثی بااستفاده از تئوری کلاسیک الاستیسیته و تئوری دینامیک شبکه ای محاسبه و با مقادیر تجربی مقایسه شده است .
متن کاملرسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...
متن کاملاثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی
In this paper, the electronic transport of a graphene nanoribbon including a bond defect as well as a polyacetylene nanowire, including an extra bond, has been studied based on Green's function technique at the tight-binding approach. The results show that the behavior of electronic conductance is different in resonance and nonresonance cases with respect to variation of bond defect position. T...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 6 شماره ویژه نامه شماره 1
صفحات 31- 36
تاریخ انتشار 2016-11-21
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023